Час читання: 2 хв.
У квітні 2025 року на технологічному симпозіумі в Північній Америці компанія TSMC повідомила про початок серійного виробництва чипів за техпроцесом N3P ще в четвертому кварталі 2024 року. Ця платформа третього покоління 3-нм класу забезпечує повну сумісність із попереднім варіантом N3E і розрахована на завдання, де важлива висока продуктивність у поєднанні з ефективним енергоспоживанням — від мобільних пристроїв до дата-центрів.
Технологія N3P є вдосконаленим варіантом N3E: вона зберігає ті самі правила проєктування, але пропонує до 5% приросту продуктивності або до 10% зниження енергоспоживання за тієї ж частоти. Також спостерігається збільшення щільності транзисторів на 4% у стандартному поєднанні логіки, SRAM і аналогових компонентів. Цього вдалося досягти за рахунок поліпшення параметрів оптичної літографії, без зміни дизайн-норм, що особливо корисно у проєктах із великою кількістю SRAM.
Реклама
Виробництво вже виконується для ключових клієнтів. Компанія також працює над наступною ітерацією — техпроцесом N3X, масовий старт якого очікується у другій половині 2025 року. Цей вузол розрахований на найвищі частоти, підтримує напругу до 1,2 В і забезпечує приріст продуктивності до 5% або зниження енергоспоживання на 7% у порівнянні з N3P. Проте висока напруга живлення збільшує витоки струму, що вимагає компромісів між продуктивністю й тепловими характеристиками.
За словами Кевіна Чжана, старшого віцепрезидента TSMC, компанія продовжує вдосконалювати техпроцеси навіть після запуску в масове виробництво, щоб клієнти могли довше використовувати свої інвестиції у розробку. Стратегія багаторазового використання технологій реалізується через Process Development Kit (PDK), що дозволяє розширювати лінійку техпроцесів без необхідності радикального оновлення обладнання. Це видно на прикладі серій N5/N4 та тепер — N3.
Хоча інтерес до 2-нм техпроцесів з GAA-транзисторами активно зростає, більшість клієнтських чипів, що вийдуть у 2025 році, як-от смартфони, планшети та ноутбуки, продовжать виготовляти саме на основі 3-нм технологій сімейства N3.